ON Semiconductor - FQB25N33TM-F085

KEY Part #: K6393096

FQB25N33TM-F085 Preços (USD) [51770pcs Estoque]

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Número da peça:
FQB25N33TM-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB25N33TM-F085 Atributos do produto

Número da peça : FQB25N33TM-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 330V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 15V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2010pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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