IXFY4N85X Preços (USD) [30762pcs Estoque]
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- 10 pcs$1.33003
- 100 pcs$1.01410
- 500 pcs$0.78875
- 1,000 pcs$0.65353
- Número da peça:
- IXFY4N85X
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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IXFY4N85X Atributos do produto
Número da peça :
IXFY4N85X
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
850V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
247pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252 (IXFY)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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