Rohm Semiconductor - RCD060N25TL

KEY Part #: K6420395

RCD060N25TL Preços (USD) [190859pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.23372
  • 2,500 pcs$0.23255

Número da peça:
RCD060N25TL
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 250V 6A CPT3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RCD060N25TL Atributos do produto

Número da peça : RCD060N25TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 250V 6A CPT3
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CPT3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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