FCP104N60 Preços (USD) [19442pcs Estoque]
- 1 pcs$2.11977
- 800 pcs$1.51975
- Número da peça:
- FCP104N60
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 37A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCP104N60 electronic components. FCP104N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP104N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP104N60 Atributos do produto
Número da peça :
FCP104N60
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
37A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
104 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4165pF @ 380V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
357W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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