Infineon Technologies - BSZ180P03NS3EGATMA1

KEY Part #: K6421140

BSZ180P03NS3EGATMA1 Preços (USD) [365089pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.10131
  • 5,000 pcs$0.09726

Número da peça:
BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ180P03NS3EGATMA1 Atributos do produto

Número da peça : BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 48µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2220pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TSDSON-8
Pacote / caso : 8-PowerTDFN

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