Diodes Incorporated - ZXMN20B28KTC

KEY Part #: K6394276

ZXMN20B28KTC Preços (USD) [274216pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13489
  • 2,500 pcs$0.11986

Número da peça:
ZXMN20B28KTC
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN20B28KTC Atributos do produto

Número da peça : ZXMN20B28KTC
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 358pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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