ZVNL110GTA Preços (USD) [209924pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17708
- 1,000 pcs$0.17620
- Número da peça:
- ZVNL110GTA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZVNL110GTA electronic components. ZVNL110GTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZVNL110GTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZVNL110GTA Atributos do produto
Número da peça :
ZVNL110GTA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
600mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
75pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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