ON Semiconductor - FCI7N60

KEY Part #: K6419084

FCI7N60 Preços (USD) [90622pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.44904
  • 1,000 pcs$0.44680

Número da peça:
FCI7N60
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCI7N60 Atributos do produto

Número da peça : FCI7N60
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Series : SuperFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK (TO-262)
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA