[8326pcs Estoque]
- Número da peça:
- STW18NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 19A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STW18NK80Z electronic components. STW18NK80Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW18NK80Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STW18NK80Z Atributos do produto
Número da peça :
STW18NK80Z
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6100pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
350W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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