ON Semiconductor - FDD4141-F085

KEY Part #: K6415766

FDD4141-F085 Preços (USD) [152659pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24229

Número da peça:
FDD4141-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD4141-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDD4141-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2775pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252AA)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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