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IXYS-RF - IXFH12N100F

KEY Part #: K6393664

IXFH12N100F Preços (USD) [10296pcs Estoque]

  • 1 pcs$4.00229
Número da peça:
IXFH12N100F
Fabricante:
IXYS-RF
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in IXYS-RF IXFH12N100F electronic components. IXFH12N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH12N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N100F Atributos do produto

Número da peça : IXFH12N100F
Fabricante : IXYS-RF
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
Series : HiPerRF™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso : TO-3P-3 Full Pack

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