Infineon Technologies - IRLML6402GTRPBF

KEY Part #: K6406548

IRLML6402GTRPBF Preços (USD) [8647pcs Estoque]

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Número da peça:
IRLML6402GTRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML6402GTRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLML6402GTRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
Series : HEXFET®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Micro3™/SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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