Infineon Technologies - IPL65R340CFDAUMA1

KEY Part #: K6418718

IPL65R340CFDAUMA1 Preços (USD) [74081pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.52781
  • 3,000 pcs$0.49925

Número da peça:
IPL65R340CFDAUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 4VSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R340CFDAUMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPL65R340CFDAUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 4VSON
Series : CoolMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 104.2W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Thin-Pak (8x8)
Pacote / caso : 4-PowerTSFN

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