[12344pcs Estoque]
- Número da peça:
- STSJ100NHS3LL
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STSJ100NHS3LL electronic components. STSJ100NHS3LL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STSJ100NHS3LL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STSJ100NHS3LL Atributos do produto
Número da peça :
STSJ100NHS3LL
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
Series :
STripFET™ III
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3W (Ta), 70W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC-EP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
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