IPP60R360P7XKSA1 Preços (USD) [49745pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.67440
- 100 pcs$0.54194
- 500 pcs$0.42149
- 1,000 pcs$0.33036
- Número da peça:
- IPP60R360P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPP60R360P7XKSA1 electronic components. IPP60R360P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP60R360P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP60R360P7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP60R360P7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
41W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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