Diodes Incorporated - DMG2302UQ-7

KEY Part #: K6405163

DMG2302UQ-7 Preços (USD) [14058pcs Estoque]

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Número da peça:
DMG2302UQ-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG2302UQ-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG2302UQ-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 594.3pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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