R6030KNXC7 Preços (USD) [25139pcs Estoque]
- 1 pcs$1.63940
- Número da peça:
- R6030KNXC7
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6030KNXC7 electronic components. R6030KNXC7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6030KNXC7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6030KNXC7 Atributos do produto
Número da peça :
R6030KNXC7
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
86W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220FM
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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