ON Semiconductor - NVF5P03T3G

KEY Part #: K6393714

NVF5P03T3G Preços (USD) [269210pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13739
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Número da peça:
NVF5P03T3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVF5P03T3G Atributos do produto

Número da peça : NVF5P03T3G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.56W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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