TK8Q65W,S1Q Preços (USD) [59949pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71913
- 75 pcs$0.57949
- 150 pcs$0.52154
- 525 pcs$0.40564
- 1,050 pcs$0.31793
- Número da peça:
- TK8Q65W,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
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TK8Q65W,S1Q Atributos do produto
Número da peça :
TK8Q65W,S1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
570pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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