ON Semiconductor - NTLGF3501NT2G

KEY Part #: K6420504

NTLGF3501NT2G Preços (USD) [202426pcs Estoque]

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Número da peça:
NTLGF3501NT2G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLGF3501NT2G Atributos do produto

Número da peça : NTLGF3501NT2G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Series : FETKY™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.14W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-DFN (3x3)
Pacote / caso : 6-VDFN Exposed Pad

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