Vishay Siliconix - SI5404BDC-T1-E3

KEY Part #: K6416295

SI5404BDC-T1-E3 Preços (USD) [12114pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.10219

Número da peça:
SI5404BDC-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5404BDC-T1-E3 Atributos do produto

Número da peça : SI5404BDC-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.3W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 1206-8 ChipFET™
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

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