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  5. IXFH12N50F

IXYS-RF - IXFH12N50F

KEY Part #: K6397529

IXFH12N50F Preços (USD) [10590pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.15178
  • 10 pcs$4.63572
  • 100 pcs$3.81153
  • 500 pcs$3.19343
Número da peça:
IXFH12N50F
Fabricante:
IXYS-RF
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in IXYS-RF IXFH12N50F electronic components. IXFH12N50F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH12N50F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N50F Atributos do produto

Número da peça : IXFH12N50F
Fabricante : IXYS-RF
Descrição : MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Series : HiPerRF™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 180W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 (IXFH)
Pacote / caso : TO-247-3

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