FDP045N10A-F102 Preços (USD) [27586pcs Estoque]
- 1 pcs$1.49397
- Número da peça:
- FDP045N10A-F102
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDP045N10A-F102 electronic components. FDP045N10A-F102 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP045N10A-F102, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDP045N10A-F102 Atributos do produto
Número da peça :
FDP045N10A-F102
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5270pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
263W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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