DMTH6010LPS-13 Preços (USD) [160441pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23054
- 2,500 pcs$0.20404
- Número da peça:
- DMTH6010LPS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 13.5A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6010LPS-13 electronic components. DMTH6010LPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6010LPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6010LPS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMTH6010LPS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 13.5A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.5A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
41.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2090pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.6W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI5060-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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