FDD306P Preços (USD) [263402pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14112
- 2,500 pcs$0.14042
- Número da peça:
- FDD306P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD306P electronic components. FDD306P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD306P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD306P Atributos do produto
Número da peça :
FDD306P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1290pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
52W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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