FDI150N10 Preços (USD) [41380pcs Estoque]
- 1 pcs$0.94491
- 800 pcs$0.48178
- Número da peça:
- FDI150N10
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDI150N10 electronic components. FDI150N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI150N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDI150N10 Atributos do produto
Número da peça :
FDI150N10
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4760pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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