ON Semiconductor - FCH085N80-F155

KEY Part #: K6415892

FCH085N80-F155 Preços (USD) [10732pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.83977

Número da peça:
FCH085N80-F155
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 46A TO247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH085N80-F155 Atributos do produto

Número da peça : FCH085N80-F155
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 800V 46A TO247
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4.6mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10825pF @ 100V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 446W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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