Infineon Technologies - IRLI520NPBF

KEY Part #: K6415873

IRLI520NPBF Preços (USD) [82036pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.18481

Número da peça:
IRLI520NPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLI520NPBF Atributos do produto

Número da peça : IRLI520NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 30W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB Full-Pak
Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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