TK12A60U(Q,M) Preços (USD) [26492pcs Estoque]
- 1 pcs$1.70992
- Número da peça:
- TK12A60U(Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U(Q,M) electronic components. TK12A60U(Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12A60U(Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK12A60U(Q,M) Atributos do produto
Número da peça :
TK12A60U(Q,M)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Series :
DTMOSII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
35W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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