BSC123N08NS3GATMA1 Preços (USD) [155515pcs Estoque]
- 1 pcs$0.23784
- 5,000 pcs$0.16144
- Número da peça:
- BSC123N08NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
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- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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BSC123N08NS3GATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSC123N08NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta), 55A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.3 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 33µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1870pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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