TK10S04K3L(T6L1,NQ Preços (USD) [202426pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20200
- 2,000 pcs$0.20099
- Número da peça:
- TK10S04K3L(T6L1,NQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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TK10S04K3L(T6L1,NQ Atributos do produto
Número da peça :
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
Series :
U-MOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
410pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK+
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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