SIA430DJT-T1-GE3 Preços (USD) [459022pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08058
- Número da peça:
- SIA430DJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3 electronic components. SIA430DJT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA430DJT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA430DJT-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA430DJT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
19.2W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6
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