FDD1600N10ALZ Preços (USD) [278064pcs Estoque]
- 1 pcs$0.13302
- 2,500 pcs$0.12743
- Número da peça:
- FDD1600N10ALZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD1600N10ALZ electronic components. FDD1600N10ALZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD1600N10ALZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD1600N10ALZ Atributos do produto
Número da peça :
FDD1600N10ALZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
3.61nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
225pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
14.9W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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