Vishay Siliconix - IRFL210TRPBF

KEY Part #: K6393066

IRFL210TRPBF Preços (USD) [275873pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.13407
  • 2,500 pcs$0.11355

Número da peça:
IRFL210TRPBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL210TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFL210TRPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 200V 0.96A SOT223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 960mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 580mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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