Infineon Technologies - BSP179H6327XTSA1

KEY Part #: K6420348

BSP179H6327XTSA1 Preços (USD) [185227pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.19969
  • 1,000 pcs$0.19173

Número da peça:
BSP179H6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP179H6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSP179H6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
Series : SIPMOS®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 400V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 210mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 Ohm @ 210mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 94µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 135pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-SOT223-4
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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