Número da peça :
IPD050N10N5ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 84µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4700pF @ 50V
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63