Infineon Technologies - IPD050N10N5ATMA1

KEY Part #: K6418980

IPD050N10N5ATMA1 Preços (USD) [85577pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.45690
  • 2,500 pcs$0.41915

Número da peça:
IPD050N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD050N10N5ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPD050N10N5ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 84µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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