IXTA4N65X2 Preços (USD) [56679pcs Estoque]
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- 50 pcs$0.75885
- Número da peça:
- IXTA4N65X2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA4N65X2 electronic components. IXTA4N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA4N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA4N65X2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTA4N65X2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
455pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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