STMicroelectronics - STB6NK60Z-1

KEY Part #: K6418990

STB6NK60Z-1 Preços (USD) [85847pcs Estoque]

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Número da peça:
STB6NK60Z-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB6NK60Z-1 Atributos do produto

Número da peça : STB6NK60Z-1
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
Series : SuperMESH™
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (máx.) : 30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 905pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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