Infineon Technologies - BSS123NH6327XTSA1

KEY Part #: K6418973

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Número da peça:
BSS123NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123NH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS123NH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 190mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 13µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 20.9pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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