IXYS - IXFQ28N60P3

KEY Part #: K6397770

IXFQ28N60P3 Preços (USD) [18158pcs Estoque]

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  • 500 pcs$1.54799
  • 1,000 pcs$1.30553

Número da peça:
IXFQ28N60P3
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ28N60P3 Atributos do produto

Número da peça : IXFQ28N60P3
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
Series : HiPerFET™, Polar3™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3560pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 695W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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