ON Semiconductor - NVMFS5C423NLWFAFT3G

KEY Part #: K6420321

NVMFS5C423NLWFAFT3G Preços (USD) [182120pcs Estoque]

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Número da peça:
NVMFS5C423NLWFAFT3G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 31A 150A 5DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS5C423NLWFAFT3G Atributos do produto

Número da peça : NVMFS5C423NLWFAFT3G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 40V 31A 150A 5DFN
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 31A (Ta), 150A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3100pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.7W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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