IRFL014NTRPBF Preços (USD) [305674pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12100
- 2,500 pcs$0.09645
- Número da peça:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFL014NTRPBF electronic components. IRFL014NTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL014NTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFL014NTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFL014NTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
190pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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