IRFD120PBF Preços (USD) [90796pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.38632
- 100 pcs$0.28191
- 500 pcs$0.20882
- 1,000 pcs$0.16706
- Número da peça:
- IRFD120PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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IRFD120PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFD120PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 780mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacote / caso :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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