APT17F80B Preços (USD) [12457pcs Estoque]
- 1 pcs$3.65724
- 70 pcs$3.63905
- Número da peça:
- APT17F80B
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 18A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APT17F80B electronic components. APT17F80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT17F80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT17F80B Atributos do produto
Número da peça :
APT17F80B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
Series :
POWER MOS 8™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
580 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3757pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 [B]
Pacote / caso :
TO-247-3
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