NTHD4P02FT1G Preços (USD) [508821pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07269
- 6,000 pcs$0.04653
- Número da peça:
- NTHD4P02FT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTHD4P02FT1G electronic components. NTHD4P02FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHD4P02FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHD4P02FT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTHD4P02FT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 10V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ChipFET™
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
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