RSR020N06TL Preços (USD) [520140pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07861
- 3,000 pcs$0.07822
- Número da peça:
- RSR020N06TL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RSR020N06TL electronic components. RSR020N06TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSR020N06TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSR020N06TL Atributos do produto
Número da peça :
RSR020N06TL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
540mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSMT3
Pacote / caso :
SC-96
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