STP18NM80 Preços (USD) [12098pcs Estoque]
- 1 pcs$3.20830
- 10 pcs$2.86367
- 100 pcs$2.34831
- 500 pcs$1.90155
- 1,000 pcs$1.60372
- Número da peça:
- STP18NM80
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 17A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
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STP18NM80 Atributos do produto
Número da peça :
STP18NM80
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
17A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
295 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2070pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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