TK6A80E,S4X Preços (USD) [49481pcs Estoque]
- 1 pcs$0.86965
- 50 pcs$0.70249
- 100 pcs$0.63225
- 500 pcs$0.49176
- 1,000 pcs$0.40746
- Número da peça:
- TK6A80E,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V TO220SIS.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X electronic components. TK6A80E,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6A80E,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK6A80E,S4X Atributos do produto
Número da peça :
TK6A80E,S4X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Series :
π-MOSVIII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
45W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220SIS
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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