IPU50R1K4CEBKMA1 Preços (USD) [2453pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.17916
- 100 pcs$0.13431
- 500 pcs$0.09849
- 1,000 pcs$0.07610
- Número da peça:
- IPU50R1K4CEBKMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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IPU50R1K4CEBKMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPU50R1K4CEBKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
178pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO251-3
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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