[310pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSP297L6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSP297L6327HTSA1 electronic components. BSP297L6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP297L6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP297L6327HTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSP297L6327HTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
660mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
357pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223-4
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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